国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其形成方法”的专利，公开号CN121419273A，申请日期为2025年11月。

　　专利摘要显示，本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。所述形成方法在衬底有源区形成的伪栅叠层中，在沟道长度方向，高介电常数层的侧面向伪栅极下方偏移而在伪栅极下方形成空隙，由于高介电常数层的介电常数高，器件的有效沟道范围位于所述空隙里侧，伪栅极及栅极凹槽形成得较有效沟道范围大，拓宽了金属栅极的工艺窗口，有助于改善功函数调节层的厚度均一性，在栅极凹槽内形成金属栅极时，功函数调节层位于所述空隙上方的边缘部分的至少一处厚度小于功函数调节层位于空隙里侧的部分的任一处厚度，所述边缘部分不在上述有效沟道范围内，减小了功函数调节层边缘厚度偏小对MOS晶体管阈值电压的影响，有助于提高不同沟道长度晶体管的阈值电压调控一致性。

　　天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线条，此外企业还拥有行政许可106个。

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