金融界2025年7月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善有源区边角圆度的方法”的专利，公开号CN120358789A，申请日期为2025年03月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种改善有源区边角圆度的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包括衬底，形成于所述衬底内且表面高于所述衬底表面的浅沟槽隔离结构，其中，所述浅沟槽隔离结构间隔排列于所述衬底内，并将所述衬底隔离出多个有源区；于预定所述有源区内进行离子注入以形成N阱，且注入的离子包括P离子及As离子，其中，所述N阱为用于形成核心PMOS器件的N阱；于形成所述N阱的有源区内再注入Ge离子，其用于将形成所述N阱的有源区的边角进行圆化。通过本发明解决了现有的因有源区的边角的角度偏大，器件电性受到影响的问题。

　　天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2080次，专利信息2337条，此外企业还拥有行政许可343个。

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